Электронно-дырочный переход
Уральский государственный технический университет - УПИ
Кафедра физики
РЕФЕРАТ
по физике на тему:
P-n-переход. Полупроводниковые диоды и применение их в технике.
Преподаватель: Папушина Т.И.
Студент: Вакулина Е.С.
Группа: С-181
Екатеринбург
2001
Содержание.
Введение. 3
Электронно-дырочный переход 4
Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном
переходе. 4
Энергетическая диаграмма электронно-дырочного перехода. 5
Полупроводниковый диод. 7
Устройство диода. 7
Статические вольтамперные характеристики диода. 7
Пробой диода 9
Электрический пробой. 9
Тепловой пробой. 10
Емкости диода. 11
Барьерная емкость. 11
Диффузионная емкость. 13
Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов и их применение в
технике. 14
Выпрямительные диоды 14
Высокочастотные диоды 14
Импульсные диоды. 15
Полупроводниковые стабилитроны. 15
Варикапы. 16
Заключение. 17
Библиографический список: 18
Введение.
Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца
XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их
особенность задолго до этого были обнаружены:
. эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник;
. фотопроводимость.
Были построены первые приборы на их основе. О. В. Лосев (1923)
доказал возможность использования контактов полупроводник-металл для
усиления и генерации колебаний (кристаллический детектор). Однако в
последующие годы кристаллические детекторы были вытеснены электронными
лампами и лишь в начале 50 - х годов с открытием транзисторов (США 1949
год) началось широкое применение полупроводников (главным образом германия
и кремния в радиоэлектронике).Одновременно началось интенсивное изучение
свойств полупроводников, чему способствовало совершенствование методов
очистки кристаллов и их легированию (введение в полупроводник определенных
примесей).
В СССР изучение полупроводников начались в конце 20 - х годов под
руководством А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте АН СССР.
Интерес к оптическим свойствам полупроводников возрос в связи с
открытием вынужденного излучения в полупроводниках, что привело к созданию
полупроводниковых лазеров вначале на p - n - переходе, а затем на
гетеропереходах.
В последнее время большее распространение получили приборы,
основанные на действии полупроводников. Эти вещества стали изучать
сравнительно недавно, однако без них уже не может обойтись ни современная
электроника, ни медицина, ни многие другие науки.
Рассмотрим подробнее принцип действия, типы и применение в технике
полупроводниковых диодов.
Электронно-дырочный переход
Рассмотрим неоднородный полупроводник, одна часть которого имеет
электронную электропроводность, а другая – дырочную. При этом речь идет не
о простом контакте двух различных полупроводников, а о едином
монокристалле, у которого одна область легирована акцепторной примесью, а
другая – донорной.
Между электронной и дырочной областями
рассматриваемой полупроводниковой структуры
всегда существует тонкий переходный слой,
обладающий особыми свойствами. Этот слой
называется электронно-дырочным или p-n-переходом.
Электронно-дырочный переход является основным структурным элементом
большинства полупроводниковых приборов, его свойствами определяется принцип
действия и функциональные возможности этих приборов.
Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-
дырочном переходе.
Примем, что в рассматриваемой p-n-структуре концентрация дырок в
дырочной области выше, чем в электронной(pp>pn), а концентрация электронов
в электронной области выше, чем в дырочной(nn>np), на границе электронной и
дырочной областей существует градиент концентрации носителей заряда,
вызывающий диффузионный ток: дырок из p-области в n-область и электронов из
n-области в p-область. Диффузионный перенос заряженных частиц
сопровождается нарушением электрической нейтральности полупроводника в
непосредственной близости от границы областей: в p-области вследствие ухода
дырок возникает не скомпенсированный отрицательный заряд, а в n-области
вследствие ухода электронов – положительный заряд. В результате дырочная
область приобретает отрицательный потенциал относительно электронной
области и в переходном слое создается электрическое поле, вызывающее
дрейфовый ток.
Но при отсутствии внешнего поля результирующий ток в полупроводнике
должен быть равен нулю, это условие динамического равновесия процессов в
переходе. Следовательно, диффузионный ток в переходе, вызываемый градиентом
концентрации носителей заряда, должен уравновешиваться встречным дрейфующим
током, обусловленным напряженностью собственного электрического поля E в
переходе:
[pic]
Таким образом, в электронно-дырочном переходе всегда существуют
градиент концентрации заряда, вызывающий диффузию дырок и электронов, и
обусловленный им градиент потенциала собственного электрического поля
du/dx=-E, вызывающий встречные дрейфующие токи, уравновешивающие
диффузионные токи:
[pic], [pic]
Наличие этих градиентов в p-n-переходе обуславливает существенное
отличие его электрофизических свойств от свойств, прилегающих к нему p- и n-
областей.
Энергетическая диаграмма электронно-дырочного перехода.
Энергетические диаграммы уединенных p- и n-
областей полупроводника показаны на рисунке. В p-
области уровень Ферми WFp смещен в сторону валентной
зоны, а в n-области уровень Ферми WFn – в сторону
зоны проводимости.
В p-n-структуре энергия уровня Ферми WF должна
быть всюду одинакова:
WF = WFp = WFn,
так как в любой точке тела он имеет одну и ту же
вероятность заполнения его электроном, равную, по
определению, Ѕ, а одной и той же вероятности
заполнения уровней должна соответствовать одна и та
же их энергия.
Поскольку расположение энергетических зон относительно уровня Ферми
в каждой из областей (дырочной и электронной) фиксировано, из постоянства
энергии уровня Ферми по всей p-n-структуре вытекает, что валентные зоны, а
также зоны проводимости p- и n-областей должны быть смещены относительно
друг друга на величину WFn - WFp .
Из условий динамического равновесия процессов диффузии и дрейфа
носителей заряда в p-n-переходе следует, что разность минимальных энергий
электронов проводимости в p- и n-областях p-n-структуры Wcn – Wcp должна
быть равна [pic], так же как и разность энергий дырок, поэтому можно
записать:
[pic]
Концентрация электронов в зоне проводимости n-области выше, чем в p-
области, так как минимальная их энергия здесь ниже (на величину [pic]), чем
в зоне проводимости p-области. Аналогично, концентрация дырок в валентной
зоне p-области выше, чем в валентной зоне n-области.
Непосредственно в области перехода энергетические уровни, как в
зоне проводимости, так и в валентной зоне расположены наклонно, что
свидетельствует о наличии градиента потенциала, а, следовательно, и
электрического поля, которое выталкивает подвижные носители заряда из
перехода. По этой причине концентрация электронов и дырок в переходе очень
низка.
Полупроводниковый диод.
Устройство диода.
Полупроводниковым диодом называется двух электродный прибор, основу
которого составляет p-n-структура, состоящая из областей p-типа и n-типа,
разделенных электронно-дырочным переходом (рис.). Одна из областей p-n-
структуры, называемая эмиттером, имеет большую концентрацию основных
носителей заряда *, чем другая область, называемая базой.
База эмиттер с помощью электродов (Э), образующих омические
переходы, соединяются с выводами (В), посредством которых диод включается в
электрическую цепь.
Основным структурным элементом полупроводникого диода, определяющим
его функциональные свойства, является p-n-переход – тонкий промежуточный
слой между p- и n-областями.
Статические вольтамперные характеристики диода.
Статическая вольтамперная характеристика полупроводникового диода
показана на рис. Здесь же пунктиром нанесена теоретическая вольтамперная
характеристика электронно-дырочного перехода. Для наглядности обратная
ветвь характеристики изображена в более крупном масштабе по току и в более
мелком – по напряжению по сравнению с прямой ветвью.
В области малых токов реальная и теоретическая характеристики
совпадают. Но при больших прямых токах, а также при высоких обратных
напряжениях характеристики расходятся, что является следствием ряда причин,
не учтенных при теоретическом анализе процессов в электронно-дырочном
переходе.
В области больших прямых токов вследствие значительного падения
напряжения на распределенном сопротивлении базы диода и сопротивлении
электродов напряжение на электронно-дырочном переходе будет меньше
напряжения U, приложенного к диоду, в результате чего реальная
характеристика оказывается расположенной ниже теоретической и почти
линейной.
Уравнение вольтамперной характеристики в этой области можно записать
в виде:
[pic],
где rб – электрическое сопротивление базы, электродов и вывода в
диоде.
При повышении обратного напряжения обратный ток диода не остается
постоянным, а медленно увеличивается. Одной из причин роста обратного тока
диода является термическая генерация носителей зарядов в переходе.
Составляющую обратного тока через переход, которая зависит от числа
генерируемых в переходе в единицу времени носителей заряда, условимся
называть термотоком перехода IT. С повышением обратного напряжения
вследствие расширения перехода увеличивается его объем, поэтому число
Страницы: 1, 2
