Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники

Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники

МИФИ

Факультет «Ф»

Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники

Иванов Эдуард Валериевич

______________

Консультант

Петров В.И.

1998

Введение.

Требования к свойствам материалов по мере развития техники непрерывно

растут, причём подчас необходимо получить труднореализуемые либо даже

несовместимые сочетания свойств . Это и порождает многообразие материалов

. Возникают новые классы сложных комбинированных материалов. Материалы

становятся всё более специализированные .

Большинство используемых в настоящее время материалов создано в

результате исследований, основанных на экспериментально найденных

закономерностях.

К таким материалам, используемым в микроэлектронике относится,

германий, ещё недавно не находивший применения в технике. Стал одним из

важнейших материалов, обеспечивающих развитие современной техники на одной

из важнейших передовых позиций – техники полупроводниковых диодов и

триодов.

Применение германия стало возможным, когда его удалось практически

нацело очистить от примесей. В полупроводниковой технике, важнейший и пока

практически единственно области применения , германий почти исключителен в

виде монокристаллических слитков ультравысокой чистоты, содержание примесей

в таком германии составляет только несколько миллионных долей процента.

Германий является рассеянным элементом и получается в основном из

отходов других производств. В последнее время одним из важнейших источников

получения германия США и Англии становиться каменный уголь. Разработан ряд

технологических схем получения германия из этого источника.

Техника получения монокристаллов германия высокой чистоты разработана

в настоящее время достаточно надежно и обеспечивает выпуск

монокристаллического германия в промышленном масштабе.

Ничтожное содержание примесей (порядка 10 – 10 %) резко изменяют

электрические характеристики германия. Будучи намерено вводимы в очищенный

германий резко изменяют электрические свойства германия в благоприятном

направлении, улучшая его эксплуатационные характеристики.

В связи с этим, наряду с очисткой германия, возникли важнейшие

проблемы легирования германия ничтожно малым количеством примесей, контроля

этих примесей, и изучения их взаимодействия между собой и с германием,

изменением свойств германия в зависимости от состава и т.п. Важнейшее место

в этих исследованиях должно занять изучение процессов диффузии примесей

германия, вопросов изменения свойств германия в зависимости от степени

совершенства монокристалла, от теплового воздействия и т.д.

Получение полупроводников.

Исторически так сложилось, что первоотцом микроэлектороники является

кремний . В природе кремний в основном встречается в виде оксида кремния

(IV) SiO2 ( песок, кварц ), а также в виде силикатов. Схема получения

силикатов представлена на рисунке 1.

Рисунок 1.

Не менее неободим в микроэлектронике и германий. Эти два полуприводника

почти в равной степени используются в микроэлектронике.

Общим методом получения кремния и германия высокой степени чистоты

является метод зонной плавки. Этот метод ( схема метода зонной плавк

приведена на рисунке №2)

Рисунок 2.

1 – Загрязнённые кристаллы в цилиндрической трубке

2 – Плавление кристаллов ( нагреватель – раскалённая спираль )

3 – Трубка медленно движется относительно спирали

4 – Вещество кристаллизуется после прохождения зоны нагревания

5 – Примеси более растворимы в расплаве и концентрируются в

расплавленной зоне

Так же очень чистые материалы можно получить методом осаждения ионов

данного металлоида на катоде в расплаве ( но этот метод по своей сути очень

похож на зонную плавку ). В основном это расплавы сульфатов германия и

оксидов кремния. Кстати впервые этот метод был использован при получении

алюминия в девятнадцатом веке, что привело к колоссальному падению цен на

этот металл, который до этого был ценнее золота.

В настоящее время...

В настоящее, время проблема получения полупроводников высокой чистоты,

менее актуальна чем раньше, т.к. технологии получения уже относительно

давно отработаны и стоят на должном уровне. Ну а сейчас, ученые занимаются

изучением оксидных плёнок и их возможным применением в микроэлектронике и

электронике в целом.

Основной проблемой полупроводников является их нагревание во время

работы. Отмечено, что основной причиной, приводящей к деградации

монокристаллов Si после нагрева, являются структурные преобразования,

связанные с частичным превращением алмазоподобного Si в кремний со

структурой белого олова. Причиной этих превращений, наблюдаемых при высоких

давлениях, является возникновение многочисленных очагов концентрации

напряжений вследствие анизотропии теплового расширения различно

ориентированных микрообъемов кристалла. В этих очагах возможно достижение

высоких давлений, необходимых для указанного фазового перехода. Высказано

соображение, что предотвращение процесса структурных превращений,

приводящих к деградации электрофизических свойств Si, возможно путем

легирования его переходными либо редкоземельными металлами, повышающими

энергию межатомного взаимодействия и за счет этого уменьшающими коэффициент

термического расширения. Выбор легирующих добавок обоснован расчетами

энергии связи и зарядовой плотности на основе системы неполяризованных

ионных радиусов.

Для получения полупроводников с электронной проводимостью ( n – типа ) с

изменяющейся в широких пределах концентрацией электронов проводимости

используют донорные примеси, образующие «мелкие» энергетические уровни в

запрещённой зоне вблизи дна зоны проводимости. Для получения

полупроводников с дырочной проводимостью ( P – типа ) вводятся акцепторные

примеси, образующие уровни вблизи потолка валентной зоны.

РАСПРОСТРОНЕНИЕ.

Основное распространение полупроводники получили в компьютерных

микросхемах и чипах. Именно эта область микроэлектроники требует

наибольшего количества кремния и германия, причем очень высокой чистоты. В

данной отрасли микроэлектроники наряду с сверхчистыми кремнием и германием,

всё больше и больше применяются сверхпроводящие материалы.

Описанные выше методы, служат базой для современных разработок в

данной области.

Список используемой литературы:

Физическая энциклопедия – 1990

издательство « Советская энциклопедия »

Германий – 1985

Издательство иностранной литературы, Москва ( сборник переводов ).

Материалы высокой чистоты – 1978

Издательство « Наука »

4. Журнал « Физика и техника полупроводников » -

1997 - 8

5. Проблемы современной электроники –

1996 – Сергеев А. С.

6. Начала современной химии - 1989- Рэмсден Э.Н.

издательство « Ленинград «Химия» »

7. Радиолюбитель – 1998-4

8. Современные достижения в микроэлектронике –

1998 – издательство « РФСком »



Реклама
В соцсетях
скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты