Полупроводники, р-n переход
Полупроводники
Полупроводники обязаны своим названием тому обстоятельству, что по
величине электропроводности они занимают промежуточное положение между
металлами и изоляторами. Однако характерным для них является не величина
проводимости, а то, что их проводимость растет с повышением температуры
(напомним, что у металлов она уменьшается). Полупроводниками являются
вещества, у которых валентная зона полностью заполнена электронами, а
ширина запрещенной зоны невелика (у собственных полупроводников не более 1
эв).
Различают собственную и примесную проводимости полупроводников.
[pic]
Рис.1
Собственная проводимость. Собственная проводимость возникает в результате
перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости.
При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока —
электронов, занимающих уровни вблизи дна зоны; одновременно в валентной
зоне освобождается такое же число мест на верхних уровнях. Такие свободные
от электронов места на уровнях заполненной при абсолютном нуле валентной
зоны называют дырками.
Распределение электронов по уровням валентной зоны и зоны проводимости
определяется функцией Ферми. Вычисления показывают, что уровень Ферми лежит
точно посредине запрещенной зоны(рис.1). Следовательно, для электронов,
перешедших в зону проводимости, величина W—WF мало отличается от половины
ширины запрещенной зоны. Уровни зоны проводимости лежат на хвосте кривой
распределения. Поэтому вероятность их заполнения электронами можно находить
по формуле
[pic](1.1)
Количество электронов, перешедших в зону проводимости, будет
пропорционально вероятности (1.1). Эти электроны, а также, как мы увидим
ниже, образовавшиеся в таком же числе дырки, являются носителями тока.
[pic](Рис.2)
Поскольку ,проводимость пропорциональна числу носителей, она также должна
быть пропорциональна выражению (1.1). Следовательно, электропроводность
полупроводников быстро растет с температурой, изменяясь по закону
[pic](1.2)
где ?W—ширина запрещенной зоны.
Если на графике откладывать зависимость 1n ? от 1/T, то для
полупроводников получается прямая линия, изображенная на рис. 2. По наклону
этой прямой можно определить ширину запрещенной зоны ?W.
Типичными полупроводниками являются элементы IV группы периодической
системы Менделеева — германий и кремний. Они образуют решетку, в которой
каждый атом связан ковалентными (парно-электронными) связями с четырьмя
равноотстоящими от него соседними атомами. Условно такое взаимное
расположение атомов можно представить в виде плоской структуры,
изображенной на рис. 3. Кружки со знаком «+» обозначают положительно
заряженные атомные остатки (т. е. ту часть атома, которая остается после
удаления валентных электронов), кружки со знаком «—»— валентные
электроны, двойные линии—ковалентные связи.
При достаточно высокой температуре тепловое движение может разорвать
отдельные пары, освободив один электрон (такой случай показан на рис. 3).
. Покинутое электроном место перестает быть нейтральным, в его окрестности
возникает избыточный положительный заряд + е — образуется дырка. На это
место может перескочить электрон одной из соседних пар. В результате дырка
начинает также странствовать по кристаллу, как и освободившийся электрон.
[pic](Рис.3)
Если свободный электрон встретится с дыркой, они рекомбинируют
(соединяются). Это означает, что электрон нейтрализует избыточный
положительный заряд, имеющийся в окрестности дырки, и теряет свободу
передвижения до тех пор, пока снова не получит от кристал
лической решетки энергию, достаточную для своего высвобождения.
Рекомбинация приводит к одновременному исчезновению свободного электрона я
дырки. На схеме уровней (рис. 1) процессу рекомбинации соответствует
переход электрона из зоны проводимости на один из свободных уровней
валентной зоны.
Итак, в полупроводнике идут одновременно два процесса: рождение попарно
свободных электронов и дырок и рекомбинация, приводящая к попарному
исчезновению электронов и дырок. Вероятность первого процесса быстро растет
с температурой. Вероятность рекомбинации пропорциональна как числу
свободных электронов, так и числу дырок. Следовательно, каждой температуре
соответствует определенная -равновесная концентрация электронов и дырок,
величина которой изменяется с температурой по такому же закону, как и ?
[см. формулу (1.2)].
В отсутствие внешнего электрического поля электроны проводимости и дырки
движутся хаотически. При включении поля на хаотическое движение
накладывается упорядоченное движение: электронов против поля и дырок — в
направлении поля. Оба движения — и дырок, и электронов — приводят к
переносу заряда вдоль кристалла. Следовательно, собственная
электропроводность обусловливается как бы носителями заряда двух знаков—
отрицательными электронами и положительными дырками.
Собственная проводимость наблюдается во всех безисключения полупроводниках
при достаточно высокой температуре.
Примесная проводимость. Этот вид проводимости возникает, если некоторые
атомы данного полупроводника
[pic] Рис.4 заменить в узлах
кристаллической решетки атомами, валентность которых отличается на единицу
от валентности основных атомов. На рис. 4 условно изображена решетка
германия с примесью 5-валентных атомов фосфора. Для образования ковалентных
связей с соседями атому фосфора достаточно четырех электронов.
Следовательно, пятый валентный электрон оказывается как бы лишним и легко
отщепляется
от атома за счет энергии теплового движения, образуя странствующий
свободный электрон. В отличие от рассмотренного раньше случая образование
свободного электрона не сопровождается нарушением ковалентных связей, т. е.
образованием дырки. Хотя в окрестности атома примеси возникает избыточный
положительный заряд, но он связан с этим атомом и перемещаться по решетке
не может. Благодаря этому заряду атом примеси может захватить
приблизившийся к нему электрон, но связь захваченного электрона с атомом
будет непрочной и легко нарушается вновь за счет тепловых колебаний
решетки.
Таким образом, в полупроводнике с 5-валентной примесью имеется только
один вид носителей тока — электроны. Соответственно говорят, что такой
полупроводник обладает электронной проводимостью или является
полупроводником n-типа (от слова negativ — отрицательный). Атомы примеси,
поставляющие электроны проводимости, называются д о н о р а м и.
Примеси искажают поле решетки, что приводит к возникновению на
энергетической схеме так называемых локальных уровней, расположенных в
запрещенной зоне кристалла (рис. 5). Любой уровень валентной зоны или зоны
проводимости может быть занят электроном, находящимся в любом месте
кристалла.
[pic]Рис.5
Энергию, соответствующую локальному уровню, электрон может иметь, лишь
находясь вблизи атома примеси, вызвавшего появление этого уровня.
Следовательно, электрон, занимающий примесный уровень, локализован вблизи
атома примеси.
Если донорные уровни расположены недалеко от потолка валентной зоны, они
не могут существенно повлиять на электрические свойства кристалла. Иначе
обстоит дело, когда расстояние таких уровней от дна зоны проводимости
гораздо меньше, чем ширина запрещенной зоны, В этом случае энергия
теплового движения даже при обычных температурах оказывается достаточной
для того, чтобы перевести электрон с донорного уровня в зону проводимости.
На рис. 4 этому процессу соответствует отщепление пятого валентного
электрона от атома примеси. Захвату свободного электрона атомом примеси
соответствует на рис. 5 переход электрона из зоны проводимости на один из
донорных уровней.
Уровень Ферми в полупроводнике n-типа лежит между донорными уровнями и
дном зоны проводимости, при невысоких температурах — приблизительно
посредине между ними (рис. 5).
На рис. 6 условно изображена решетка кремния с примесью 3-валентных
атомов бора. Трех валентных электронов атома бора недостаточно для
образования
[pic]Рис.6
связей со всеми четырьмя соседями. Поэтому одна из связей окажется
неукомплектованной и будет представлять собой место, способное захватить
электрон. При переходе на это место электрона одной из соседних пар
возникнет дырка, которая будет кочевать по кристаллу. Вблизи атома примеси
возникнет избыточный отрицательный заряд, но он будет связан с данным
атомом и не может стать носителем тока. Таким образом, в полупроводнике с 3-
валентной примесью возникают носители тока только одного вида — дырки.
Проводимость в этом случае называется дырочной, а о полупроводнике говорят,
что он принадлежит к p-типу (от слова positiv — положительный). Примеси,
вызывающие возникновение дырок, называются акцепторными.
На схеме уровней (рис. 7) акцептору соответствует расположенный в
запретной зоне недалеко от ее дна локальный уровень. Образованию дырки
отвечает переход электрона из валентной зоны на акцепторный уровень.
Обратный переход соответствует разрыву одной из четырех ковалентных связей
атома примеси с его соседями и рекомбинации образовавшегося при этом
электрона и дырки.
Уровень Ферми в полупроводнике р-типа лежит между потолком валентной зоны
и акцепторными уровнями, при невысоких температурах — приблизительно
посредине между ними.
С повышением температуры концентрация примесных носителей тока быстро
достигает насыщения. Это означает, что практически освобождаются все
донорные или
[pic]Рис.7
заполняются электронами все акцепторные уровни. Вместе с тем по мере роста
температуры все в большей степени начинает сказываться собственная
проводимость полупроводника, обусловленная переходом электронов
непосредственно из валентной зоны в зону проводимости. Таким образом, при
высоких температурах проводимость полупроводника будет складываться из
примесной и собственной проводимости. При низких температурах преобладает
примесная, а при высоких — собственная проводимость.
P-N переход
Выпрямление токов и усиление напряжений можно осуществить с помощью
полупроводниковых устройств, называемых полупроводниковыми (или
кристаллическими) диодами и триодами. Полупроводниковые триоды называют
также транзисторами.
Полупроводниковые устройства можно подразделить на две группы: устройства
с точечными контактами и устройства с плоскостными контактами. Мы
ограничимся рассмотрением плоскостных диодов и транзисторов.
Основным элементом
плоскостных устройств является так называемый р—n-переход. Он представляет
собой тонкий слой на границе между двумя областями одного и того же
кристалла, отличающимися типом примесной проводимости. Для изготовления
Страницы: 1, 2
